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MOCVD半導(dao)體(ti)設(she)備(bei)濾(lv)芯過(guo)濾(lv)精(jing)度(du)高,使(shi)用(yong)壽命(ming)長
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描(miao)述:Veeco K465i設(she)備(bei)耐高溫(wen)濾(lv)芯 1、濾(lv)材: 耐高溫(wen)玻纖濾(lv)料(liao) 2、支撐(cheng)材料(liao):雙面304#不銹鋼(gang)金屬(shu)網 3、骨架(jia):304#不銹(xiu)鋼(gang)菱形(xing)網 4、密(mi)封(feng)墊圈:矽(gui)發泡(pao)橡(xiang)膠(jiao)墊片(pian) 5、密封(feng)膠(jiao):矽橡(xiang)膠(jiao) 規格(ge): 1、端(duan)蓋:φ360*φ225, 304# 不銹(xiu)鋼(gang) 2、耐高溫(wen)密(mi)封(feng)墊:φ340*φ265*T5 3、折(zhe)數(shu):壹(yi)級(100μm) :118 折(zhe) , 折(zhe)高 65mm
產品型(xing)號(hao):Veeco濾(lv)芯
廠(chang)商(shang)性(xing)質(zhi):生(sheng)產廠家(jia)
更新時(shi)間:2024-12-30
訪(fang)問(wen)量(liang):1830標(biao)題(ti):Veeco K465i設(she)備(bei)耐高溫(wen)濾(lv)芯
產品概(gai)述
Veeco K465i設(she)備(bei)耐高溫(wen)濾(lv)芯/Veeco K465i設(she)備(bei)濾(lv)芯
產品說(shuo)明(ming):
該產品系我司針對(dui)Veeco K465i設(she)備(bei)設(she)計(ji)生產的濾(lv)芯,安(an)裝於真空(kong)泵(beng)前,用(yong)於濾(lv)除混合(he)氣(qi)體(ti)中的粉(fen)塵和顆(ke)粒(li); 2只(zhi)/組(粗濾(lv)、細(xi)濾(lv))
組成材料(liao):
1、濾(lv)材: 耐高溫(wen)玻纖濾(lv)料(liao)
2、支撐(cheng)材料(liao):雙面304#不銹鋼(gang)金屬(shu)網
3、骨架(jia):304#不銹(xiu)鋼(gang)菱形(xing)網
4、密(mi)封(feng)墊圈:矽(gui)發泡(pao)橡(xiang)膠(jiao)墊片(pian)
5、密封(feng)膠(jiao):矽橡(xiang)膠(jiao)
規格(ge):
1、端(duan)蓋:φ360*φ225, 304# 不銹(xiu)鋼(gang)
2、耐高溫(wen)密(mi)封(feng)墊:φ340*φ265*T5
3、折(zhe)數(shu):壹(yi)級(100μm) :118 折(zhe) , 折(zhe)高 65mm; 二級(ji)( 25μm ) :88 折(zhe),折(zhe)高 65mm
過(guo)濾(lv)效率(lv):
1、粗(cu)濾(lv):100μm=90%
2、細(xi)濾(lv):25μm=99.95%
3、透(tou)氣(qi)量(liang):1000L/Sec/㎡
產品特(te)性(xing):
1、采(cai)用(yong)兩級(ji)過濾(lv)工(gong)藝(yi),分(fen)級(ji)過(guo)濾(lv)雜質、有(you)效去(qu)除不(bu)同(tong)大(da)小(xiao)的顆(ke)粒(li)雜質。
2、波(bo)紋(wen)工藝(yi),有(you)效過(guo)濾(lv)面積增加(jia),容(rong)汙能力強(qiang),使(shi)用(yong)周(zhou)期長。
3、濾(lv)料(liao)采(cai)用(yong)玻纖濾(lv)料(liao),具耐高溫(wen)、耐腐(fu)蝕,長期使(shi)用(yong)溫度(du)可達(da)250度(du)以(yi)上(shang)。
4、專用(yong)的高精(jing)度(du)過濾(lv)材料(liao),空(kong)隙(xi)均(jun)勻,過(guo)濾(lv)精(jing)度(du)高,有(you)效保(bao)護設(she)備(bei)。
MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 是生(sheng)長高質(zhi)量(liang)半(ban)導(dao)體(ti)薄(bo)膜材料(liao)的 技(ji)術(shu),在LED 、半導體(ti)激(ji)光(guang)器(qi)、太陽(yang)能(neng)電(dian)池等多(duo)個(ge)領域(yu)都(dou)有(you)應(ying)用(yong)。現有(you)MOCVD 設(she)備(bei) 的成(cheng)本非常高,且依賴(lai)進(jin)口,進行MOCVD 設(she)備(bei)研(yan)究(jiu)對(dui)國(guo)內(nei)半(ban)導體(ti)產業、新能源 領域(yu)以(yi)及 技(ji)術(shu)的發展(zhan)都很有(you)必(bi)要(yao)。
MOCVD 設(she)備(bei)可以(yi)分(fen)為(wei)核(he)心(xin)的腔(qiang)體(ti)反(fan)應室(shi)、加(jia)熱器(qi)、冷(leng)卻系統、氣(qi)體(ti)輸(shu)運(yun)系統以(yi) 及整(zheng)體(ti)控(kong)制(zhi)系統。本(ben)文(wen)重(zhong)點(dian)研(yan)究(jiu)了氣(qi)體(ti)輸(shu)運(yun)系統的設(she)計(ji),包括(kuo)結構(gou)組成和部(bu)分(fen)控(kong)制(zhi)難 點(dian),並對(dui)該(gai)系統今(jin)後(hou)的發展(zhan)陳(chen)述了自己(ji)的觀點(dian)。
氣(qi)體(ti)輸(shu)運(yun)系統的作(zuo)用(yong)是把(ba)包括(kuo)載氣(qi)和源氣(qi)在內的所(suo)有(you)氣(qi)體(ti)輸(shu)送至腔(qiang)體(ti)參(can)與(yu)反(fan)應, 並(bing)把(ba)反(fan)應後(hou)的氣(qi)體(ti)輸(shu)送至排(pai)氣(qi)管路(lu)進行尾氣(qi)處(chu)理。氣(qi)體(ti)輸(shu)運(yun)包括(kuo)源供給(gei)系統, 反(fan)應室(shi)內(nei)多(duo)余的氣(qi)體(ti)帶(dai)入(ru)尾氣(qi)處(chu)理系統。由(you)於腔體(ti)內(nei)管(guan)路(lu)很復(fu)雜,而且避免(mian)MO 源的壁(bi)面沈積) 對(dui)氣(qi)體(ti)流經的關(guan)鍵管路(lu)持(chi)續吹掃(sao)。基(ji)於 考慮,設(she)備(bei)需(xu) 要(yao)定期進(jin)行泄(xie)漏(lou)檢(jian)查。
由於MOCVD 系統中所(suo)采(cai)用(yong)的大(da)多(duo)數(shu)源(yuan)均(jun)易燃(ran)易爆(bao),雨(yu)其(qi)中的 化(hua)物源(yuan)又(you),因(yin)此(ci),必(bi)須(xu)對(dui)反(fan)應過(guo)後(hou)的尾氣(qi)進行處(chu)理。通常采用(yong)的處(chu)理方(fang)式(shi)是(shi)將尾氣(qi)先通(tong)過微(wei)粒過濾(lv)器(qi)去除其(qi)中的微(wei)粒




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